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    光伏和車用IGBT供貨周期超50周,設備和FRD成關鍵

    荷葉塘 ? 來源:電子發燒友網 ? 作者:程文智 ? 2022-05-03 00:05 ? 次閱讀

    近年來,在電動汽車、光伏風電、變頻家電,以及工控等下游需求的驅動下,IGBT行業保持了快速增長態勢。記得2018年時,車規級IGBT就異常緊缺,后來隨著IGBT廠商的增產和新玩家的進入,逐漸有所緩解。但到了去年,整個半導體行業的器件都異常緊張,IGBT自然也不例外。據電子發燒友網了解,目前光伏和車用IGBT主要供應商的供貨周期都超過了50周,今年的供應形勢依然嚴峻。

    據中信證券研究部測算,2021年IGBT全球市場規模約550億元,在新能源需求拉動下,2022年~2025年市場規模有望保持20%的增速。其中,電動汽車和光伏風能及儲能市場增速最快。據乘聯會和Marklines的數據,預計2022年電動車全球銷量增長至接近1000萬臺,同比增長50%以上。隨著汽車電動化的快速推進,將帶動車規級IGBT需求持續放量,預計2022年全球電動車行業IGBT需求將達194億元。新能源方面,在雙碳政策的驅動下,全球風光儲產業加速發展,預計2022年相關IGBT需求達107億元。

    圖:全球IGBT市場空間測算(數據來源:中信證券研究部)


    全球IGBT的擴產情況

    今年來,IGBT廠商的擴產還在持續。據了解,IGBT的擴產包括晶圓制造和封測產能的擴產。一般來說IGBT包括了IGBT單管和IGBT模塊產品,IGBT單管主要是標準封裝,大部分廠商的封測是代工模式,而且代工廠商基本在國內;IGBT模塊則主要是IGBT廠商在自己的模塊封裝廠內完成。

    英飛凌、ST和安森美三大IGBT供應商來說,去年9月份,英飛凌第二座12寸硅晶圓廠開始試產;去年下半年,安森美開始擴建自己的12寸晶圓產線;去年年底,ST在意大利投資興建新的12寸晶圓產線。在如今需求旺盛的情況下,英飛凌在德國德累斯頓的12寸產線應該已經是滿產狀態。當然,這些晶圓產線并不僅僅是做IGBT產品,也會做MOSFET產品。

    另外,業內人士指出,IGBT生產的時候,需要搭配二極管(FRD)晶圓,而二極管晶圓也同樣需要消耗晶圓產能。而且,自去年下半年開始,FRD異常緊缺,導致不少IGBT廠商的擴產計劃受阻。

    封測方面,有的廠商采用IDM模式,也有的廠商采用委外代工模式。其中英飛凌、ST和安森美的IGBT單管產品也都是在國內做封測的。

    由于IGBT模塊的封裝主要是由廠商自己完成,因此擴產也只能自己來做。比如,英飛凌對歐洲本部和國內無錫的封測廠都進行了擴產,另外,他們還將一部分的晶圓給其合作公司上汽英飛凌來做封裝,及對外銷售。

    ST和安森美分別在深圳和東莞的封測廠產能也都在擴充。

    國內廠商,斯達在臨港和嘉興;比亞迪在廣東、湖南等地也在擴建新的產線;華虹半導體、士蘭微已在12寸晶圓產線導入IGBT工藝,在全球8寸設備緊缺背景下為IGBT產能快速擴張提供助力,以應對未來需求的急速擴展。

    但無論是12寸產線,還是成熟的8寸產線的擴產,都無法避免產能爬坡的過程。因為在產能爬坡過程中必然會遇到工藝和良率問題。該挑戰,國內外廠商都將遇到,而且時間還不短。業內人士指出,參考英飛凌第二條12寸產線,從試產到滿產,可能需要四到五年的時間,國內的廠商速度可能會快一點,但應該也需要兩三年的時間。而且這個時間不包括廠房建設、設備和人員的到位時間。

    由于現在幾乎所有的廠商都在擴產,設備的交期也相應延長了不少。

    8寸的擴產主要是在原有產能上進行擴充的,主要是在做一些結構性的調整,比如說少做一些消費類器件、多生產一些工業、汽車,或者光伏類的產品。

    據業內人士透露,海外廠商的市場規模比較大,市場份額可能8、9成都是他們的。2022年的擴產范圍應該在10%~20%之間。如果細分到電動汽車和光伏領域,應該接近20%。而國內IGBT廠商的擴產比率會更大,畢竟此前的基數更低。

    國產IGBT廠商在光伏和汽車市場的情況

    由于對IGBT需求大的電動汽車、變頻家電、光伏風電等產業在國內正加速成長,本土配套需求旺盛??紤]到IGBT的重要性,國內近年來出臺大量相關政策支持產業發展,疊加海外優秀人才歸國助力(尤其是IR被英飛凌收購后),我國IGBT行業迎來巨大發展機遇,涌現出以斯達半導、士蘭微、中車時代電氣、比亞迪半導體等為代表的一大批優秀IGBT廠商;華虹半導體、積塔半導體、中芯紹興等IGBT代工廠;以及新潔能、揚杰科技、東微半導、安世半導體等后進入者也正在積極布局。

    在光伏方面,2020年時,IGBT國產化率幾乎為0,2021年國內逆變器廠商開始導入大量本土IGBT單管供應商及少數IGBT模塊供應商,并于2022年開始放量采購,國產化率快速提升。整體來看,預計2022年國內IGBT領域的國產化率將加速提升,將由年初的20%提升至30%。

    在光伏方面,目前IGBT單管產品的缺口很大,在供應方面主要以英飛凌、ST和安森美三家為主,但由于他們產能有限,缺口很大。國內廠商方面,第一梯隊的廠商有新潔能、宏微、士蘭微和斯達。

    其中,新潔能跟德業綁定得比較緊,德業的出貨量已經接近百萬級;宏微跟華為綁定得更充分,還有就是華為在直接指導宏微設計適用于光伏的IGBT單管產品,因此其產品力應該是不錯的。

    士蘭微和斯達的IGBT單管主要向固德威、陽光電源,以及新進入者匯川供貨。

    當然這些IGBT廠商也并不是只綁定一家光伏廠商,他們也會給其他光伏廠商送樣。但以他們目前的產能情況,還不足以給全行業供貨,能夠支持一兩家就已經不錯了。至于未來能夠滿足海外廠商留下的供應缺口,一是要看國內廠商的產能,二是要看其產品的性能、穩定性、可靠性、和一致性能否滿足客戶需求。比如陽光電源曾透露,英飛凌的組串式效率值能達到99.1%;三菱的效率值是99.05%;但其測試的幾家國內廠商的IGBT效率值未能達到99%。這么看來,在產品性能方面,國內產品與海外產品還有一定的距離。

    光伏領域的IGBT模塊方面,從產品上來說,斯達和時代電氣都有,士蘭微應該也在開發,但是從進展上來看,目前還是以海外廠商為主,主要是英飛凌、富士電機、安森美等為主,而國內廠商進展緩慢。

    在汽車領域,比亞迪在收購了寧波的晶圓廠之后,就一直致力于IGBT的設計、加工制造和使用。由于比亞迪是IDM廠商,而且在自己的車上大量使用了自己的產品,經過多年的迭代,產品已經做得很好了。當然,比亞迪也同時在大量采購英飛凌、富士電機和斯達等IGBT廠商的產品。

    斯達則從其工業變頻器的成功,依托于匯川、英威騰從變頻器轉向車用電機電控、電源等產品,帶動斯達從江淮、吉利的A00級汽車,往A0級,甚至是A級和B級車滲透。比如,我們可以看到斯達在小鵬汽車內已經有小批量使用了。據其年報顯示,2021年斯達配套裝車量超過了60萬輛,其中A級車及以上車型超過了15萬輛。

    時代電氣做車規級IGBT產品的歷史不長,以前其產品主要聚焦在高壓IGBT模塊上,主要用于機車牽引。從去年開始,由于車規級IGBT大規模缺貨,時代電氣獲得了很多新車定點的機會。預測蔚來、小鵬和理想,北汽、廣汽等新車大概率會采用其產品。今年時代電氣在汽車上的出貨量有望達到10萬級別。當然,最終表現取決于其產能和上量后的表現。

    士蘭微在汽車應用方面有點落后于其他幾家廠商,去年他們在一些小眾車型上,比如領克上有小批量供貨。但從該公司的期望,以及進入新能源汽車領域的企圖心上來看,相信今年應該會起量,加上士蘭微有自己的晶圓廠,產能是有保證的,今年大概率能沖到大幾萬,甚至10萬級別的出貨量。

    結語

    從景氣度上來看,IGBT大概率未來兩年的供應情況仍然緊張,畢竟IGBT產品大都是高壓、高電流的,一塊晶圓能夠切割出來的裸晶圓數量有限,產能規模有限,而擴產的產能爬坡又需要時間,加上市場需求還在增大??雌饋韲a廠商的機會很大,不過最終還是要看產品力。

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      利用IGBT雙脈沖測試電路,改變電壓及電流測量探頭的位置,即可對IGBT并聯的續流二極管(即FRD)....
      的頭像 佳恩半導體 發表于 04-13 13:54 ? 187次 閱讀

      防孤島保護裝置在光伏并網系統的應用

      摘 要:近幾年,新能源的利用越來越廣泛,國家對光伏電站系統的建設十分重視,促使光伏并網系統被大量使用....
      發表于 04-12 10:22 ? 67次 閱讀
      防孤島保護裝置在光伏并網系統的應用

      電磁爐IGBT管損壞的主要原因

      在電磁爐中,IGBT是一個損壞占有率很大的元器件,在沒有查明故障原因的時候就試機,會引起IGBT再次....
      發表于 04-11 14:42 ? 222次 閱讀

      MOS管和IGBT有什么區別?別傻傻分不清了

      在電子電路中,MOS管和IGBT管會經常出現,它們都可以作為開關元件來使用,MOS管和IGBT管在外形及特性參數也比較相...
      發表于 04-01 11:10 ? 2602次 閱讀
      MOS管和IGBT有什么區別?別傻傻分不清了

      IGBT壓縮機驅動電路

      各位大佬,有個問題請教下,上橋臂Q1-Q3 3個IGBT為什么會同時擊穿短路(規格6A 600V),VBUS 310V 損壞后我的驅動...
      發表于 02-17 17:45 ? 5674次 閱讀
      IGBT壓縮機驅動電路

      【推薦】IGBT驅動與保護電路設計及應用電路實例

      IGBT驅動與保護電路設計及應用電路實例 鏈接: 提取碼:lwrt [table] [tr][td]內容簡介 《IGBT驅動與保護電路設計...
      發表于 02-17 11:29 ? 2945次 閱讀

      MOSFET與IGBT基礎講解

      大家下午好! 今天給大家帶來【MOSFET與IGBT基礎講解】,會持續更新,有問題可以留言一同交流討論。 需要更多學...
      發表于 02-10 16:54 ? 3186次 閱讀

      如何去實現絕緣柵雙極晶體管(IGBT)的電磁兼容設計呢

      絕緣柵雙極晶體管(IGBT)有哪些應用呢? 如何去實現絕緣柵雙極晶體管(IGBT)的電磁兼容設計呢?...
      發表于 01-14 07:02 ? 1080次 閱讀

      一種開關過程優化的高壓[回映分享]

      本文由回映電子整理分享,歡迎工程老獅們參與學習與評論 回映電子是一家基于Edge-AI技術的個護健康服務商,為企業客戶提...
      發表于 12-28 10:17 ? 9014次 閱讀
      一種開關過程優化的高壓[回映分享]

      NXH160T120L2Q2F2SG 功率集成模塊(PIM) IGBT 1200 V 160 A和600 V 100 A

      T120L2Q2F2SG是一款功率集成模塊(PIM),包含一個分離式T型中性點鉗位三電平逆變器,由兩個160A / 1200V半橋IGBT和二極管組成,兩個中性點120A / 1200V整流器,兩個100A / 600V中性點IGBT,帶反向二極管,兩個半橋60A / 600V整流器和一個負溫度系數熱敏電阻(NTC)。 特性 優勢 600 V IGBT規格:VCE(SAT)= 1.47 V,ESW = 2560 uJ 快速切換具有低VCE(SAT)的IGBT以實現更高效率 1200 V IGBT規格:VCE(SAT)= 2.15 V,ESW = 4300 uJ 快速切換具有低VCE(SAT)的IGBT以實現更高的效率 底板 熱傳播 可焊銷 輕松安裝 熱敏電阻 溫度檢測 T型中性點鉗位三電平逆變器模塊 應用 終端產品 DC-AC階段 太陽能逆變器 UPS 電路圖、引腳圖和封裝圖...
      發表于 07-31 08:02 ? 363次 閱讀

      NXH80B120H2Q0 功率集成模塊 雙升壓 1200 V 40 A IGBT + 1200 V 15 A SiC二極管

      120H2Q0SG是一款功率集成模塊(PIM),包含一個雙升壓級,由兩個40A / 1200V IGBT,兩個15A / 1200V SiC二極管和兩個用于IGBT的25A / 1600V反并聯二極管組成。另外還包括兩個用于浪涌電流限制的25A / 1600V旁路整流器。包括一個板載熱敏電阻。 特性 優勢 IGBT規格:VCE(SAT)= 2.2 V,ESW = 2180 uJ 具有低VCE(SAT)的快速IGBT以實現高效率 25 A / 1600 V旁路和反并聯二極管 低VF旁路二極管,在旁路模式下具有出色的效率 SiC整流器規格:VF = 1.4 V 用于高速切換的SiC二極管 可焊接引腳 輕松安裝 雙升壓40 A / 1200 V IGBT + SiC整流器混合模塊 熱敏電阻 應用 終端產品 太陽能逆變器升壓階段 太陽能逆變器 UPS 電路圖、引腳圖和封裝圖...
      發表于 07-31 08:02 ? 245次 閱讀

      NXH450N65L4Q2 功率集成模塊(PIM) I型NPC 650 V 450 A IGBT 650 V 375 A二極管

      N65L4Q2是功率集成模塊,包含I型中性點鉗位(NPC)三電平逆變器,由兩個225 A / 650 V外部IGBT,兩個375 A / 650 V內部IGBT和兩個375 A / 650 V中性線組成點二極管。反向二極管是150 A / 650 V器件。該模塊包含一個NTC熱敏電阻。 特性 優勢 現場停止4個650 V IGBT,具有快速開關性能和出色的VCE(SAT) 提高系統效率和簡化熱設計 焊針版本 應用 終端產品 DC-AC轉換 分散式太陽能逆變器 - 1200V 不間斷電源 電路圖、引腳圖和封裝圖...
      發表于 07-31 08:02 ? 446次 閱讀

      NXH80T120L2Q0 功率集成模塊(PIM) T型NPC 1200 V 80 A IGBT 600 V 50 A IGBT

      120L2Q0是功率集成模塊,包含一個T型中性點鉗位(NPC)三電平逆變器,由兩個80 A / 1200 V半橋IGBT組成,帶有40 A / 1200 V半橋二極管和兩個50 A / 600 V NPC IGBT,帶有兩個50 A / 600 V NPC二極管。模塊還包含一個板載熱敏電阻。 特性 優勢 低VCESAT的高速1200V和650V IGBT 提高效率 預先應用熱界面材料(TIM)的選項預先應用的TIM 更簡單的安裝過程 使用壓入銷和焊針的選項 模塊安裝過程的更廣泛選擇 應用 終端產品 太陽能逆變器 UPS逆變器 太陽能串逆變器 電路圖、引腳圖和封裝圖...
      發表于 07-31 07:02 ? 265次 閱讀

      NXH100B120H3Q0 功率集成模塊 雙升壓 1200 V 50 A IGBT + 1200 V 20 A SiC二極管

      B120H3Q0是一款功率集成模塊(PIM),包含一個雙升壓級,由兩個50A / 1200V IGBT,兩個20A / 1200V SiC二極管和兩個用于IGBT的25A / 1600V反并聯二極管組成。另外還包括兩個用于浪涌電流限制的25A / 1600V旁路整流器。包括一個板載熱敏電阻。 特性 優勢 IGBT規格:VCE(SAT)= 1.77 V,ESW = 2200 uJ 具有低VCE(SAT)的快速IGBT以實現高效率 25 A / 1600 V旁路和反并聯二極管 低VF旁路二極管,在旁路模式下具有出色的效率 SiC整流器規格:VF = 1.44 V 用于高速開關的SiC二極管 焊針和壓合銷選項 靈活安裝 應用 終端產品 MPPT提升階段 Bat tery Charger Boost Stage 太陽能逆變器 儲能系統 電路圖、引腳圖和封裝圖...
      發表于 07-31 07:02 ? 240次 閱讀

      NXH160T120L2Q2F2S1 功率集成模塊(PIM) IGBT 1200 V 160 A和650 V 100 A

      T120L2Q2F2SG是一款功率集成模塊(PIM),包含一個分離式T型中性點鉗位三電平逆變器,由兩個帶反向二極管的160A / 1200V半橋IGBT,兩個中性點120A / 1200V整流器組成,兩個具有反向二極管的100A / 650V中性點IGBT,兩個半橋60A / 650V整流器和一個負溫度系數熱敏電阻(NTC)。 特性 優勢 650 V IGBT規格:VCE(SAT)= 1.47 V,ESW = 2560 uJ 快速切換具有低VCE(SAT)的IGBT以實現更高效率 1200 V IGBT規格:VCE(SAT)= 2.15 V,ESW = 4300 uJ 快速切換具有低VCE(SAT)的IGBT以實現更高的效率 底板 熱傳播 可焊銷 輕松安裝 熱敏電阻 溫度檢測 T型中性點鉗位三電平逆變器模塊 應用 終端產品 DC-AC階段 太陽能逆變器 UPS 電路圖、引腳圖和封裝圖...
      發表于 07-31 07:02 ? 148次 閱讀

      FSBB15CH120DF 運動SPM

      CH120DF是一款先進的Motion SPM ? 3模塊,為交流感應,BLDC和PMSM電機提供功能齊全的高性能逆變器輸出級。這些模塊綜合優化了內置IGBT的柵極驅動,最大限度降低電磁輻射和損耗,同時提供多種自帶保護功能,包括欠壓閉鎖,過流關斷,驅動芯片熱監控和故障報告。內置高速HVIC僅需要單電源電壓并將收到的邏輯電平柵極輸入信號轉換為高電壓,高電流驅動信號,從而有效驅動模塊的內部IGBT。獨立負IGBT引腳適用于各相位,以支持最廣泛的算法控制。 特性 UL認證號E209204(UL1557) 1200 V - 10 A三相IGBT逆變器,帶積分柵驅動器和保護功能 低功耗,額定短路IGBT 使人 2 0 3 陶瓷基質實現極低熱阻 專用Vs引腳能夠簡化PCB布局 低側IGBT的獨立發射極開路引腳用于三相電流檢測 單相接地電源 LVIC內嵌溫度感功能,用于監控溫度 絕緣等級:2500 V rms /分 電路圖、引腳圖和封裝圖...
      發表于 07-31 07:02 ? 353次 閱讀

      FSBB15CH120D 運動SPM

      CH120D是一款先進的MotionSPM?3模塊,用于交流感應,BLDC和PMSM電機提供功能齊全的高性能逆變器輸出級。 這些模塊綜合優化了內置IGBT的柵極驅動,最大限度降低電磁輻射和損耗,同時提供多種自帶保護功能,包括欠壓閉鎖,過流關斷,驅動芯片熱監控和故障報告。內置高速HVIC僅需要單電源電壓并將收到的邏輯電平柵極輸入信號轉換為高電壓,高電流驅動信號,從而有效驅動模塊的內部IGBT。獨立負IGBT引腳適用于各相位,以支持最廣泛的算法控制。 特性 UL認證號E209204(UL1557) 1200 V - 10 A三相IGBT逆變器,帶積分柵驅動器和保護功能 低功耗,額定短路IGBT 使人 2 0 3 陶瓷基質實現極低熱阻 專用Vs引腳能夠簡化PCB布局 低側IGBT的獨立發射極開路引腳用于三相電流檢測 單相接地電源 LVIC內嵌溫度感功能,用于監控溫度 絕緣等級:2500 V rms /分 電路圖、引腳圖和封裝圖...
      發表于 07-31 07:02 ? 335次 閱讀

      NXH80B120L2Q0 功率集成模塊 雙升壓 1200 V 40 A IGBT + 1200 V 30 A Si二極管

      120L2Q0SG是一款功率模塊,包含一個雙升壓級,由兩個40A / 1200V IGBT,兩個30A / 1200V硅二極管和兩個用于IGBT的25A / 1600V反并聯二極管組成。另外還包括兩個用于浪涌電流限制的25A / 1600V旁路整流器。包括一個板載熱敏電阻。 特性 優勢 IGBT規格:VCE(SAT)= 2.2 V,ESW = 2830 uJ 具有低VCE(SAT)的快速IGBT以實現高效率 25 A / 1600 V旁路和反并聯二極管 低VF旁路二極管,在旁路模式下具有出色的效率 Si整流器規格:VF = 2.4 V,IRRM = 53 A 用于中速切換的Si二極管 可焊接針 輕松安裝 雙升壓40 A / 1200 V IGBT + Si整流器模塊 熱敏電阻 應用 終端產品 太陽能逆變器升壓階段 太陽能逆變器 UPS 電路圖、引腳圖和封裝圖...
      發表于 07-31 05:02 ? 242次 閱讀

      FPF2G120BF07AS 具有NTC的F2,3ch升壓模塊

      一種快速,可靠的的安裝方式。 特性 高效率 低傳導損耗和開關損耗 高速場截止IGBT SiC SBD用作升壓二極管 內置NTC可實現溫度監控 電路圖、引腳圖和封裝圖
      發表于 07-31 04:02 ? 300次 閱讀

      NFL25065L4BT 用于2相交錯式PFC的PFCSPM?2系列

      65L4BT是一款PFCSPM?2模塊,為消費,醫療和工業應用提供全功能,高性能的交錯式PFC(功率因數校正)輸入功率級。這些模塊集成了內置IGBT的優化柵極驅動,可最大限度地降低EMI和損耗,同時還提供多種模塊內保護功能,包括欠壓鎖定,過流關斷,熱監控和故障報告。這些模塊還具有全波整流器和高性能輸出SiC二極管,可節省更多空間和安裝便利性。 特性 650 V - 50 A 2階段具有整體柵極驅動器和保護的交錯式PFC 使用Al2O3 DBC襯底的極低熱阻 全波橋式整流器和高性能輸出SiC升壓二極管 用于溫度監控的內置NTC熱敏電阻 隔離評級:2500 Vrms / min 應用 終端產品 2相交錯式PFC轉換器 商用空調 工業電機 電路圖、引腳圖和封裝圖...
      發表于 07-31 04:02 ? 250次 閱讀

      NFCS1060L3TT 智能功率模塊(IPM) PFC組合 600V 10A

      60L3TT是一個完全集成的PFC和逆變器功率級,包括一個高壓驅動器,六個電機驅動IGBT,一個PFC SJMOSFET,一個用于整流器的PFC SiC-SBD和一個熱敏電阻,適用于驅動永磁同步( PMSM)電機,無刷直流(BLDC)電機和交流異步電機。 IGBT采用三相橋式配置,為小腿提供獨立的發射極連接,以便在選擇控制算法時獲得最大的靈活性。 特性 優勢 在一個封裝中采用PFC和逆變器級的簡單散熱設計。 保存PCB面積并簡化裝配流程 交叉傳導保護 避免手臂短路輸入信號不足 集成自舉二極管和電阻器 保存PCB面積 應用 終端產品 電機驅動模塊 電機控制系統 工業/通用控制系統HVAC 工業風扇電機 泵 洗衣機 電路圖、引腳圖和封裝圖...
      發表于 07-31 04:02 ? 207次 閱讀

      NFAP1060L3TT 智能功率模塊(IPM) 600 V 10 A 帶有先進的SIP封裝

      60L3TT是一個完全集成的逆變器功率級,由高壓驅動器,六個IGBT和一個熱敏電阻組成,適用于驅動永磁同步(PMSM)電機,無刷直流(BLDC)電機和交流異步電機。 IGBT采用三相橋式配置,為低支路提供獨立的發射極連接,在控制算法選擇方面具有最大的靈活性。功率級具有全面的保護功能,包括跨導保護,外部關斷和欠壓鎖定功能。連接到過流保護電路的內部比較器和參考電壓允許設計人員設置過流保護電平。 特性 緊湊型44mm x 20.9mm單列直插式封裝 內置欠壓保護 交叉傳導保護 集成自舉二極管和電阻器 應用 終端產品 工業驅動器 泵 粉絲 Automationas 電路圖、引腳圖和封裝圖...
      發表于 07-31 03:02 ? 254次 閱讀

      NCP5304 MOSFET / IGBT驅動器 高壓 高壓側和低壓側 雙輸入

      4是一款高壓功率柵極驅動器,提供兩路輸出,用于直接驅動2個N溝道功率MOSFET或以半橋配置排列的IGBT。它使用自舉技術確保正確驅動高端電源開關。驅動器使用2個具有交叉傳導保護的獨立輸入。 特性 高壓范圍:高達600V dV / dt抗擾度±50 V / ns 柵極驅動電源范圍為10 V至20 V 高低驅動輸出 輸出源/灌電流電流能力250 mA / 500 mA 兼容3.3 V和5 V輸入邏輯 最多輸入引腳上的Vcc擺動 兩個通道之間的匹配傳播延遲 帶輸入的階段輸出 具有100ns內部固定死區時間的交叉傳導保護 在兩個通道的Vcc LockOut(UVLO)下 Pin to Pin與行業標準兼容 應用 半橋電源轉換器 全橋轉換器 電路圖、引腳圖和封裝圖...
      發表于 07-31 01:02 ? 495次 閱讀
      NCP5304 MOSFET / IGBT驅動器 高壓 高壓側和低壓側 雙輸入

      NCP5111 功率MOSFET / IGBT驅動器 單輸入 半橋

      1是一款高壓功率柵極驅動器,提供兩個輸出,用于直接驅動2個N溝道功率MOSFET或以半橋配置排列的IGBT。它使用自舉技術確保正確驅動高側電源開關。 特性 高壓范圍:高達600V dV / dt抗擾度±50 V / ns 柵極驅動電源范圍從10 V到20 V 高低驅動輸出 輸出源/灌電流電流能力250 mA / 500 mA 兼容3.3 V和5 V輸入邏輯 輸入引腳上的Vcc擺幅 兩個頻道之間的匹配傳播延遲 內部固定Dea的一個輸入d時間(650 ns) 在兩個頻道的Vcc LockOut(UVLO)下 引腳與引腳兼容行業標準 應用 半橋電源轉換器 電路圖、引腳圖和封裝圖...
      發表于 07-31 01:02 ? 274次 閱讀
      NCP5111 功率MOSFET / IGBT驅動器 單輸入 半橋

      MC33153 單IGBT驅動器

      3專門設計用作高功率應用的IGBT驅動器,包括交流感應電機控制,無刷直流電機控制和不間斷電源。雖然設計用于驅動分立和模塊IGBT,但該器件為驅動功率MOSFET和雙極晶體管提供了經濟高效的解決方案。器件保護功能包括選擇去飽和或過流檢測和欠壓檢測。這些器件采用雙列直插和表面貼裝封裝,包括以下特性: 特性 高電流輸出級:1.0 A源/ 2.0 A接收器 常規和感測IGBT的保護電路 可編程故障消隱時間 防止過電流和短路 針對IGBT優化的欠壓鎖定 負柵極驅動能力 成本有效地驅動功率MOSFET和雙極晶體管 無鉛封裝可用 電路圖、引腳圖和封裝圖...
      發表于 07-31 01:02 ? 2022次 閱讀
      MC33153 單IGBT驅動器

      NCP5106 MOSFET / IGBT驅動器 高壓 高壓側和低壓側

      6是一款高壓柵極驅動器IC,提供兩路輸出,用于直接驅動2個N溝道功率MOSFET或IGBT,采用半橋配置版本B或任何其他高端+低端配置版本A. 它使用自舉技術確保正確驅動高端電源開關。驅動程序使用2個獨立輸入。 NCP5109 = 200V NCP5106 = 600V 特性 高壓范圍:最高600 V dV / dt抗擾度±50 V / nsec 柵極驅動電源范圍為10 V至20 V 高低驅動輸出 輸出源/灌電流電流能力250 mA / 500 mA 兼容3.3 V和5 V輸入邏輯 輸入引腳上的Vcc擺動 匹配傳播兩個渠道之間的延遲 輸入階段的輸出 適應所有拓撲的獨立邏輯輸入(版本A) 交叉傳導保護機智h 100 ns內部固定死區時間(版本B) 在兩個通道的Vcc LockOut(UVLO)下 Pin-to-Pin與行業標準兼容 應用 半橋電源轉換器 任何互補驅動轉換器(非對稱半橋,有源鉗位)(僅限A型)。 全橋轉換器 電路圖、引腳圖和封裝圖...
      發表于 07-31 00:02 ? 825次 閱讀
      NCP5106 MOSFET / IGBT驅動器 高壓 高壓側和低壓側

      FL73282 半橋柵極驅動器

      2是一款單片半橋柵極驅動器IC,可驅動工作電壓高達+ 900V的MOSFET和IGBT.Fairchild的高壓工藝和共模噪聲消除技術可使高側驅動器在高dV / dt噪聲環境下穩定運行。先進的電平轉換電路,可使高側柵極驅動器的工作電壓在V BS = 15 V時達到V S = - 9.8 V(典型值)。當V CC 或V BS 低于指定閾值電壓時,兩個通道UVLO電路可防止發生故障。輸出驅動器的源電流/灌電流典型值分別為350 mA / 650 mA,適用于各種半橋和全橋逆變器。 特性 浮動通道可實現高達+900 V的自舉運行 兩個通道的源/灌電流驅動能力典型值為350 mA / 650 mA 共模dv / dt噪聲消除電路 容許擴展負V S 擺幅至-9.8 V,以實現V CC = V BS = 15 V時的信號傳輸 10 V至20 V的V CC 和V BS 供電范圍 雙通道的欠壓鎖定功能 匹配傳播延遲低于50 ns 內置170 ns死區時間 輸出與輸入信號同相 應用 照明 電路圖、引腳圖和封裝圖...
      發表于 07-31 00:02 ? 781次 閱讀

      NCV5703 IGBT柵極驅動器 大電流 獨立式

      3系列是一組高電流,高性能獨立式IGBT驅動器,具有非反相輸入邏輯,適用于中高功率應用,包括PTC加熱器,EV充電器和其他汽車等汽車應用電源。通過消除許多外部組件,這些器件提供了經濟高效的解決方案。器件保護功能包括Active Miller Clamp(用于NCV5703A),精確的UVLO,DESAT保護和漏極開路故障輸出。這些驅動器還具有精確的5.0 V輸出(適用于所有版本)和獨立的高低(VOH和VOL)驅動器輸出(僅適用于NCV5703C),便于系統設計。這些驅動器設計用于容納寬電壓范圍的單極性偏置電源(以及NCV5703B的雙極性偏置電源)。所有版本均采用8引腳SOIC封裝,符合AEC-Q100標準。 特性 優勢 IGBT米勒平臺電壓下的高電流輸出(+ 4.0 / -6.0 A) 降低開關損耗并縮短切換時間 低VOH和VOL 完全增強IGBT 可編程延遲的DESAT保護 增強的可編程保護 活動密勒鉗(僅限NCV5703A) 防止假門開啟 應用 終端產品 DC-交流變頻器 電池充電器 汽車PTC加熱器 驅動程序 電機控制 電動汽車 電路圖、引腳圖和封裝圖...
      發表于 07-30 22:02 ? 304次 閱讀

      NCV5702 IGBT柵極驅動器 大電流 獨立式

      2是一款高電流,高性能獨立式IGBT驅動器,具有非反相輸入邏輯,適用于高功率應用,包括PTC加熱器,EV充電器,動力總成逆變器和其他汽車電源等汽車應用。該器件通過消除許多外部元件提供了經濟高效的解決方案。器件保護功能包括有源米勒鉗位,精確的UVLO,EN輸入,DESAT保護和漏極開路故障輸出。該驅動器還具有精確的5.0 V輸出和獨立的高低(VOH和VOL)驅動器輸出,便于系統設計。該驅動器設計用于適應寬電壓范圍的偏置電源,包括單極性和雙極性電壓。它采用16引腳SOIC封裝。符合AEC-Q100標準。 特性 優勢 降低開關損耗和縮短開關時間 低VOH和VOL 完全增強IGBT 活動密勒鉗 防止偽門開啟 可編程延遲的DESAT保護 增強的可編程保護 應用 終端產品 DC-AC逆變器 電池充電器 汽車PTC加熱器 板載充電器 xEV充電器 汽車動力總成逆變器 牽引逆變器 電動汽車 EV充電器 牽引 電路圖、引腳圖和封裝圖...
      發表于 07-30 22:02 ? 231次 閱讀
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