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    不同清洗方法對納米顆粒表征的影響

    不同清洗方法對納米顆粒表征的影響

    本文介紹了我們華林科納研究不同清洗方法(離心和透析)對15納米檸檬酸鈉穩定納米顆粒表面化學和組成的影響,關于透析過程,核磁共振分析表明,經過9個清洗周期后,檸檬酸濃度與第一次...

    2022-05-12 標簽:納米清洗 103

    三種化學溶液在InP光柵襯底清洗的應用

    三種化學溶液在InP光柵襯底清洗的應用

    我們華林科納研究了三種化學溶液,用于在分布反饋激光器應用的InP外延生長之前清洗光柵。這些化學物質是濃縮的HMSO和n< SO,H2 2的混合溶液,其中n =β和...

    2022-05-12 標簽:光柵激光器清洗 85

    使用KOH各向異性蝕刻Si的光學器件的單掩模微制造(下)

    使用KOH各向異性蝕刻Si的光學器件的單掩模微制造(下)

    接上回的實驗演示 ? 實驗演示? 非球面的制造包括以下步驟: 1.光刻掩模的設計和圖案到沉積在硅晶片上的氧化層的轉移; 2.KOH蝕刻以形成金字塔形凹坑; 3.去除氧化物掩模并進一步各向異性蝕...

    2022-05-11 標簽:光學蝕刻蝕刻工藝光學器件 168

    使用KOH各向異性蝕刻Si的光學器件的單掩模微制造(上)

    使用KOH各向異性蝕刻Si的光學器件的單掩模微制造(上)

    ?引言 我們報道了利用KOH水溶液中硅的各向異性腐蝕,用單掩模工藝進行連續非球面光學表面的微加工。使用這種工藝制造了具有幾毫米量級的橫向尺度和幾微米量級的輪廓深度的精確的任意...

    2022-05-11 標簽:光學蝕刻蝕刻工藝光學器件 144

    【節能學院】電氣火災監控系統在德令哈市新能源有軌電車示范線工程的應用

    【節能學院】電氣火災監控系統在德令哈市新能源有軌電車示范線工程的應用

    點擊藍字關注我們摘要介紹德令哈市新能源有軌電車示范線工程采用剩余電流式電氣火災探測器,就地組網方式,通過現場總線通訊遠傳至后臺,從而實現剩余電流式電氣火災監控系統的搭建,...

    2021-11-19 標簽:監控系統 84

    使用n型GaSb襯底優化干法和濕法蝕刻工藝

    使用n型GaSb襯底優化干法和濕法蝕刻工藝

    基本化學成分以Cl2為基礎,外加用于側壁鈍化的N2。優化的ICP蝕刻工藝能夠產生具有光滑側壁的高縱橫比結構。使用670nm波長的激光進行原位反射監測,以高精度在材料界面停止蝕刻??紤]到在...

    2022-05-11 標簽:工藝蝕刻 170

    5nm及更先進節點上FinFET的未來:使用工藝和電路仿真來預測下一代半導體的性能

    5nm及更先進節點上FinFET的未來:使用工藝和電路仿真來預測下一代半導體的性能

    雖然柵極間距(GP)和鰭片間距(FP)的微縮持續為FinFET平臺帶來更高的性能和更低的功耗,但在5nm及更先進節點上,兼顧寄生電容電阻的控制和實現更高的晶體管性能變得更具挑戰。 ? 泛林集團在與...

    2022-05-07 標簽:半導體電路仿真FinFET 4934

    超聲波頻率對化學蝕刻過程的影響實驗報告

    超聲波頻率對化學蝕刻過程的影響實驗報告

    超聲增強化學腐蝕被用來制作多孔硅層,通過使用HF溶液和HNO3在p型(111)取向硅中制備多孔硅層,發現超聲波改善了p型硅上多孔硅層的結構,用這種方法可以制作品質因數高得多的多孔硅微腔,...

    2022-05-06 標簽:超聲波蝕刻蝕刻工藝 568

    半導體晶片干燥場非內部和晶片周圍的流動特性

    半導體晶片干燥場非內部和晶片周圍的流動特性

    本研究利用CFD模擬分析了半導體晶片干燥場非內部和晶片周圍的流動特性,并根據分析Case和晶片位置觀察了設計因子變化時的速度變化。...

    2022-05-06 標簽:半導體特性晶片 377

    柔性振動盤視覺上料系統

    柔性振動盤視覺上料系統

    柔性振動盤是一種適用于工業自動化生產中99%的小型零部件散料排列上料的,它又叫柔性上料盤、柔性振盤、柔性供料器等。弗萊克斯柔性振動盤有五種規格,分別是FF100-FF500,能夠解決大小不一...

    2021-02-20 標簽:振動盤 489

    多晶硅蝕刻殘留物的的形成機理

    多晶硅蝕刻殘留物的的形成機理

    為了闡明蝕刻殘留物的形成機理,研究了氯/氦-氧、溴化氫/氦-氧和溴化氫/氯等不同氣體混合物的影響,我們發現在氧的存在下,蝕刻殘留物形成良好,這表明蝕刻殘留物是由氧和非揮發性乳化...

    2022-05-06 標簽:多晶硅蝕刻 275

    金屬蝕刻殘留物對對等離子體成分和均勻性的影響

    金屬蝕刻殘留物對對等離子體成分和均勻性的影響

    本文研究了金屬蝕刻殘留物,尤其是鈦和鉭殘留物對等離子體成分和均勻性的影響。通過所謂的漂浮樣品的x射線光電子能譜分析來分析室壁,并且通過光發射光譜來監測Cl2、HBr、O2和SF6等離子體...

    2022-05-05 標簽:等離子蝕刻晶片 288

    溫度對去除氮化物和氧化物層的影響

    溫度對去除氮化物和氧化物層的影響

    本文介紹了在緩沖氧化物腐蝕(BOE)溶液中溫度對氮化物和氧化物層腐蝕速率的影響。明確的框架結構和減少的蝕刻時間將提高制造過程的生產率,該方法從圖案化氮化硅開始,以研究在BOE工藝之...

    2022-05-05 標簽:工藝蝕刻氧化物 273

    使用晶片處理技術在硅中產生溝槽結構

    使用晶片處理技術在硅中產生溝槽結構

    本文討論了一種使用容易獲得的晶片處理技術在硅中產生溝槽結構的簡單技術,通過使用(110)Si的取向相關蝕刻,可能在硅中產生具有垂直側壁的溝槽,與該技術一起使用的某些溶液的蝕刻各向...

    2022-05-05 標簽:處理技術蝕刻晶片 315

    半導體工藝 臭氧化去離子水去除最終拋光晶片上的顆粒

    半導體工藝 臭氧化去離子水去除最終拋光晶片上的顆粒

    摘要 本研究開發了一種低擁有成本的臭氧去離子水清洗工藝。室溫下40 ppm的臭氧濃度用于去除有機蠟膜和顆粒。僅經過商業脫蠟處理后,仍殘留有厚度超過200的蠟殘留物。由于臭氧的擴散限制...

    2022-04-27 標簽:半導體晶片 536

    多孔GaN的結構和光學特性

    多孔GaN的結構和光學特性

    摘要 本文報道了鉑輔助化學化學蝕刻制備的多孔氮化鎵的結構和光學性能。掃描電鏡圖像顯示,孔隙的密度隨著蝕刻時間的增加而增加,而蝕刻時間對孔隙的大小和形狀沒有顯著影響。原子力...

    2022-04-27 標簽:光學GaN 533

    半導體工藝中化學機械拋光后刷洗的理論分析

    半導體工藝中化學機械拋光后刷洗的理論分析

    摘要 化學機械平面化后的葉片清洗,特別是刷子擦洗,是半導體器件制造的一個關鍵步驟,尚未得到充分了解。臨界粒子雷諾數方法用于評估在刷擦洗過程中去除晶圓表面的粘附顆粒,或者是...

    2022-04-27 標簽:半導體晶片 466

    硅晶片在氫氧化鉀、TMAH和EDP溶液中的蝕刻速率

    硅晶片在氫氧化鉀、TMAH和EDP溶液中的蝕刻速率

    本文研究了氫氧化鉀、TMAH(C6H4(OH)2)溶液中氫氧化銨(四甲基銨)和EDP(乙烯二胺(NH2(CH2)2NH2)的濃度和溫度對硅表面的影響,制作了光滑的垂直墻和懸吊梳式結構。...

    2022-04-26 標簽:蝕刻硅晶片 281

    通過表面分析評估Cu-CMP工藝

    通過表面分析評估Cu-CMP工藝

    半導體裝置為了達成附加值高的系統LSI,需要高集成化,高速化,這其中新的布線材料,絕緣膜是不可缺少的。其中,具有低電阻的Cu,作為布線材料受到關注?;瘜W機械拋光(CMP)和之后的清...

    2022-04-26 標簽:晶圓工藝CMP 257

    如何對氮化鎵基發光二極管結構進行干法刻蝕

    如何對氮化鎵基發光二極管結構進行干法刻蝕

    氮化鎵作為一種寬帶隙半導體,已被用于制造發光二極管和激光二極管等光電器件。最近已經開發了幾種用于氮化鎵基材料的不同干蝕刻技術。電感耦合等離子體刻蝕因其優越的等離子體均勻性...

    2022-04-26 標簽:發光二極管氮化鎵蝕刻 160

    半導體晶片鍵合的對準方法

    半導體晶片鍵合的對準方法

    多年來,半導體晶片鍵合一直是人們感興趣的課題。使用中間有機或無機粘合材料的晶片鍵合與傳統的晶片鍵合技術相比具有許多優點,例如相對較低的鍵合溫度、沒有電壓或電流、與標準互補...

    2022-04-26 標簽:半導體晶片鍵合 229

    利用原子力顯微鏡測量硅蝕刻速率

    利用原子力顯微鏡測量硅蝕刻速率

    本文提出了一種利用原子力顯微鏡(AFM)測量硅蝕刻速率的簡單方法,應用硅表面的天然氧化物層作為掩膜,通過無損摩擦化學去除部分天然氧化物,暴露底下新鮮硅。因此,可以實現在氫氧化鉀...

    2022-04-22 標簽:蝕刻測量顯微鏡 480

    詳解微機械中的各向異性刻蝕技術

    詳解微機械中的各向異性刻蝕技術

    單晶硅, 作為IC、LSI的電子材料, 用于微小機械部件的材料,也就是說,作為結構材料的新用途已經開發出來了。其理由是, 除了單晶SI或機械性強之外,還在于通過利用僅可用于單晶的晶體...

    2022-04-22 標簽:晶圓蝕刻微機械 439

    長電科技子公司長電先進榮獲德州儀器TI“2021年度卓越供應商獎”

    長電科技子公司長電先進榮獲德州儀器TI“2021年度卓越供應商獎”

    近日,全球領先的集成電路制造和技術服務提供商長電科技(上交所代碼:600584)子公司江陰長電先進封裝有限公司(以下簡稱長電先進)榮獲了德州儀器(TI)頒發的“2021年度卓越供應商獎”...

    2022-04-20 標簽:tiSiP供應商長電科技 849

    國產替代給力 大族激光光刻機已小批量銷售

    國產替代給力 大族激光光刻機已小批量銷售 臺積電2nm的工藝都要在2025年投產;不知道2nm的工藝需要什么樣的高端光刻機才做得出來。我們看到國產化好消息是,大族激光的光刻機已實現小批量...

    2022-04-19 標簽:光刻機大族激光 1284

    300毫米直徑硅片的快速熱處理實驗研究

    300毫米直徑硅片的快速熱處理實驗研究

    在半導體熱處理應用中,批處理在工業的早期階段被采用,并且仍然非常流行。我們研究了直徑為200毫米和300毫米的硅(100)晶片在單晶片爐中高溫快速熱處理過程中的熱行為,該熱行為是溫度、...

    2022-04-19 標簽:半導體熱處理硅晶片 217

    通過臭氧微氣泡進行半導體晶圓的光刻膠去除實驗

    通過臭氧微氣泡進行半導體晶圓的光刻膠去除實驗

    半導體的清洗在制造工序中也是非常重要的。特別是光刻膠的去除是最困難的,一般使用硫酸和過氧化氫混合的溶液(SPM)等。但是,這些廢液的處理是極其困難的,與環境污染有很大的關系,因...

    2022-04-19 標簽:半導體晶圓光刻膠 164

    韋爾股份2021年報正式發布 半導體設計收入達200億

    韋爾股份2021年報正式發布 半導體設計收入達200億

    韋爾股份2021年報正式發布 ;數據顯示韋爾股份2021年的半導體設計收入達200億。...

    2022-04-19 標簽:半導體設計韋爾股份 1626

    浙江麗水新增半導體產業項目:旺榮半導體項目審核通過

    近日,浙江麗水的旺榮半導體有限公司之前申請的建設8英寸功率器件項目已被政府審核通過。 據了解,旺榮將用其先進的電子器件生產設備來生產該項目的電子器件,該項目計劃投資23.8億人民...

    2022-04-17 標簽:半導體8英寸晶圓 1036

    單晶SiC晶圓加工過程中的低溫濕法蝕刻

    單晶SiC晶圓加工過程中的低溫濕法蝕刻

    硅片在大口徑化的同時,要求規格的嚴格化迅速發展。特別是由于平坦度要求變得極其嚴格,因此超精密磨削技術得以開發,實現了無蝕刻化,無拋光化。雖然在單晶SiC晶片上晶片磨削技術的開...

    2022-04-15 標簽:晶圓SiC刻蝕 467

    光伏硅片的超聲化學清洗技術

    光伏硅片的超聲化學清洗技術

    近年來,太陽能電池和電池板等可再生能源的使用量顯著增加。在已安裝的光伏系統中,90%以上的是單晶硅電池和多晶硅電池,具有成本低、面積大、效率較高的優點。清潔硅晶片的表面是器件...

    2022-04-12 標簽:光伏清洗硅晶片 845

    用于單晶片清洗的超臨界流體

    用于單晶片清洗的超臨界流體

    使用超臨界流體去除污染物的過程,即高于其臨界溫度和壓力的類氣體物質。超臨界流體具有類液體溶劑化特性和類氣體擴散和粘度,使其能夠快速穿透縫隙和邊界層膜,并完全去除其中包含的...

    2022-04-12 標簽:晶圓工藝清洗 561

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